MOSFET IXYS, canale N, 50 mΩ, 98 A, PLUS247, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
802-4506
Codice costruttore:
IXFX98N50P3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

98 A

Tensione massima drain source

500 V

Serie

HiperFET, Polar3

Tipo di package

PLUS247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

50 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Dissipazione di potenza massima

1,3 kW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

197 nC a 10 V

Lunghezza

16.13mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Larghezza

5.21mm

Altezza

21.34mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

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