1 MOSFET onsemi Singolo, canale Tipo N, 9 A 30 V, SOIC, Montaggio superficiale Miglioramento, 8 Pin FDS6692A
- Codice RS:
- 805-0378
- Codice costruttore:
- FDS6692A
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
10,56 €
(IVA esclusa)
12,88 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 10 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,056 € | 10,56 € |
| 100 - 240 | 0,793 € | 7,93 € |
| 250 - 490 | 0,784 € | 7,84 € |
| 500 - 990 | 0,671 € | 6,71 € |
| 1000 + | 0,547 € | 5,47 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 805-0378
- Codice costruttore:
- FDS6692A
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.47W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 4.9mm | |
| Altezza | 1.575mm | |
| Larghezza | 3.9 mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.47W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 4.9mm | ||
Altezza 1.575mm | ||
Larghezza 3.9 mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
MOSFET a canale N PowerTrench®, fino a 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
><
I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.
Link consigliati
- MOSFET onsemi 19 mΩ SOIC, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 19 mΩ4 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 170 mΩ TO-220F, Su foro
- MOSFET onsemi 165 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET onsemi 97 mΩ MLP8, Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 19 mΩ9 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 9 mΩ SOIC, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 9 mΩ5 A Montaggio superficiale
