MOSFET onsemi, canale N, 1,2 Ω, 600 mA, SOT-523 (SC-89), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 807-0729
- Codice costruttore:
- FDY302NZ
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1pz in confezione da 100
0,153 €
(IVA esclusa)
0,187 €
(IVA inclusa)
2900 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 100 - 900 | 0,153 € | 15,30 € |
| 1000 - 2900 | 0,114 € | 11,40 € |
| 3000 - 8900 | 0,09 € | 9,00 € |
| 9000 - 23900 | 0,078 € | 7,80 € |
| 24000 + | 0,077 € | 7,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 807-0729
- Codice costruttore:
- FDY302NZ
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 600 mA |
| Tensione massima drain source | 20 V |
| Serie | PowerTrench |
| Tipo di package | SOT-523 (SC-89) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 1,2 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 0.6V |
| Dissipazione di potenza massima | 625 mW |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -12 V, +12 V |
| Materiale del transistor | Si |
| Carica gate tipica @ Vgs | 0,8 nC a 4,5 V |
| Larghezza | 0.98mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Lunghezza | 1.7mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Altezza | 0.78mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
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