MOSFET onsemi, canale Tipo N 55 V, 8 mΩ Miglioramento, 75 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante HUF75344P3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
807-6689
Codice costruttore:
HUF75344P3
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-220

Serie

UltraFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.25V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

285W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

175nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

16.3mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.7mm

Standard automobilistico

No

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa.

Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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