MOSFET onsemi, canale Tipo P 500 V, 4.9 Ω Miglioramento, 1.33 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FQD3P50TM

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

11,89 €

(IVA esclusa)

14,51 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 20 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 1330 unità in spedizione dal 19 maggio 2026
  • Più 2500 unità in spedizione dal 09 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 901,189 €11,89 €
100 - 2401,025 €10,25 €
250 - 4900,889 €8,89 €
500 - 9900,781 €7,81 €
1000 +0,71 €7,10 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
808-9010
Codice Distrelec:
304-45-656
Codice costruttore:
FQD3P50TM
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Serie

QFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione diretta Vf

-5V

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.39mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale P QFET®, Fairchild Semiconductor


I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.

Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati