MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 100 mΩ Miglioramento, 4 A, 6 Pin, SOT-23, Superficie FDC642P

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Codice RS:
809-0865
Codice costruttore:
FDC642P
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.7 mm

Altezza

1mm

Lunghezza

3mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale P per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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