MOSFET Vishay, canale N, 1,5 Ω, 2,6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 812-0616
Codice costruttore:: IRFR210TRPBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 1,5 Ω, 2,6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 812-0616
Codice costruttore:: IRFR210TRPBF
Costruttore:: Vishay

IRFR210, IRFU210, SiHFR210, SiHFU210, Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,6 A
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.73mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	6.22mm
Carica gate tipica @ Vgs	8,2 nC a 10 V
Altezza	2.38mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	2V

MOSFET Vishay, canale N, 1,5 Ω, 2,6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor

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