MOSFET DiodesZetex, canale N, 110 mΩ, 3,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 822-2576
Codice costruttore:: DMN3110S-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 110 mΩ, 3,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 25**

0,346 €

(IVA esclusa)

0,422 €

(IVA inclusa)

2775 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
25 +	0,346 €	8,65 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 822-2576
Codice costruttore:: DMN3110S-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMN3110S-7 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,8 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.3V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	4,1 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3mm
Larghezza	1.4mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 110 mΩ, 3,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc

Link consigliati