MOSFET DiodesZetex, canale N, 110 mΩ, 3,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 822-2576
Codice costruttore:: DMN3110S-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 110 mΩ, 3,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 822-2576
Codice costruttore:: DMN3110S-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMN3110S-7 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,8 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.3V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	4,1 nC a 10 V
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 110 mΩ, 3,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc

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