MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 130 mΩ Miglioramento, 1.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS308PEH6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
823-5500
Codice Distrelec:
304-44-428
Codice costruttore:
BSS308PEH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

1.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

OptiMOS P

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

-0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.9mm

Larghezza

1.3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon OptiMOS serie P, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, resistenza massima della sorgente di drenaggio di 130 mΩ - BSS308PEH6327XTSA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale P progettato per la commutazione e il controllo a montaggio superficiale in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto ad ambienti difficili ed è costruito per funzionare nei casi in cui è richiesta una commutazione a bassa tensione e corrente moderata. Il dispositivo è fornito in un contenitore SOT-23 ed è compatibile con applicazioni di livello automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa resistenza in stato attivo di 130 mΩ riduce le perdite di conduzione
• Valutato per una resistenza drain-source di 30 V per sistemi a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 1,6 A supporta carichi moderati
• La carica gate tipica di 5 nC consente una commutazione gate più rapida
• La tensione massima gate-source di 20 V consente margini di azionamento robusti
• La capacità di dissipazione di potenza di 500 mW facilita la gestione termica

Applicazioni


• Adatto per la disconnessione del carico in sistemi automobilistici a 12 V
• Ideale per la protezione della batteria e il controllo del percorso di alimentazione
• Utilizzato con la commutazione di ingresso-stadio del convertitore CC-CC
• Può essere utilizzato per la commutazione di potenza a livello di segnale nei moduli
• Adatto per schede di alimentazione compatte a montaggio superficiale

Quali estremi termici può tollerare durante il funzionamento?


È specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione termica.

Quale contenitore e metodo di montaggio utilizza?


Viene fornito in un contenitore SOT-23 progettato per il montaggio superficiale su gruppi di circuiti stampati.

Come si comporta il dispositivo per quanto riguarda il design del gate drive?


Con un valore nominale VGS massimo di 20 V e una carica gate tipica di 5 nC, richiede una capacità di azionamento modesta e driver gate veloci per ottenere una commutazione rapida.

Il dispositivo è adatto ai requisiti di qualificazione automobilistica?


È conforme alle norme AEC‐Q101, il che lo rende accettabile per molti progetti elettronici automobilistici.

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