MOSFET Infineon, canale Tipo P 30 V, 130 mΩ Miglioramento, 1.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

309,00 €

(IVA esclusa)

378,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 01 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 30000,103 €309,00 €
6000 - 60000,098 €294,00 €
9000 +0,091 €273,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-6823
Codice costruttore:
BSS308PEH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

OptiMOS P

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.3 mm

Altezza

1mm

Lunghezza

2.9mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™


I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono: CC-CC, controllo di motori, settore automobilistico ed eMobility.

Modalità potenziata

Classificazione Avalanche

Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione

Placcatura senza piombo; conformità Rohs

Contenitori standard

Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati