MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 235 mΩ Miglioramento, 1.6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie IRLML0100TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
725-9350
Codice Distrelec:
304-45-311
Codice costruttore:
IRLML0100TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-23

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

235mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.02mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.4mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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