MOSFET Infineon, canale P, 7 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
823-5554
Codice costruttore:
IPP80P03P4L04AKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

80 A

Tensione massima drain source

30 V

Serie

OptiMOS P

Tipo di package

TO-220

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

7 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

137 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-16 V, +5 V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Larghezza

4.4mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Carica gate tipica @ Vgs

125 nC a 10 V

Lunghezza

10mm

Altezza

15.65mm

Standard per uso automobilistico

AEC

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.3V

Paese di origine:
MY

MOSFET Infineon OptiMOS serie P, corrente di scarico continua massima di 80 A, dissipazione di potenza massima di 137 W - IPP80P03P4L04AKSA1


Questo MOSFET a canale P è progettato per applicazioni ad alte prestazioni nei circuiti elettronici e svolge un ruolo cruciale nella gestione e nel controllo dell'alimentazione, soprattutto nel settore automobilistico. Costruito per resistere ad ambienti difficili, funziona in modo efficiente in un'ampia gamma di temperature e soddisfa gli standard di qualificazione AEC, rendendolo adatto all'uso automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi


• La configurazione a canale P aumenta la flessibilità di progettazione
• Capacità di corrente di drenaggio continua fino a 80A
• Prestazioni termiche robuste con una temperatura operativa massima di +175°C
• Il basso RDS(on) di 7mΩ migliora l'efficienza energetica
• L'elevata capacità di dissipazione di potenza, pari a 137 W, consente un'efficace gestione termica
• Testato a valanga per garantire l'affidabilità in condizioni dinamiche

Applicazioni


• Protezione contro l'inversione della batteria nei sistemi automobilistici
• Circuiti driver ad alta potenza
• Sistemi di controllo automatizzati che richiedono prestazioni affidabili
• Soluzioni di gestione dell'alimentazione nei dispositivi elettronici

Qual è la temperatura massima di funzionamento di questo dispositivo?


Il dispositivo può funzionare a temperature fino a +175°C, rendendolo adatto ad applicazioni gravose.

Come può essere utilizzato nei sistemi automobilistici?


La sua qualifica per il settore automobilistico ne garantisce la durata in condizioni difficili, rendendolo ideale per applicazioni come la protezione dalla batteria inversa e la gestione dell'alimentazione.

Quali sono i limiti di tensione gate-source?


La tensione di gate-source accettabile va da -16V a +5V, garantendo flessibilità nella progettazione dei circuiti.

Quali misure sono state adottate per la gestione termica?


Con una potenza massima dissipata di 137 W e caratteristiche termiche elevate, gestisce efficacemente il calore nelle applicazioni più esigenti.


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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