MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 5.2 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD031N06L3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
825-9162
Codice costruttore:
IPD031N06L3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.413mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

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