MOSFET onsemi, canale N, 5,2 mΩ, 50 A, 136 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-1367
Codice costruttore:: FDD86540
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 5,2 mΩ, 50 A, 136 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,989 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,989 €	2.472,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 124-1367
Codice costruttore:: FDD86540
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	50 A, 136 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	5,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	127 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	65 nC a 10 V
Lunghezza	6.73mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	6.22mm
Altezza	2.39mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 5,2 mΩ, 50 A, 136 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

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