MOSFET ROHM, canale Tipo P 30 V, 230 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, TUMT, Superficie RRF015P03TL
- Codice RS:
- 826-7731
- Codice costruttore:
- RRF015P03TL
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 30 unità*
7,29 €
(IVA esclusa)
8,88 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 25 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 30 - 270 | 0,243 € | 7,29 € |
| 300 - 720 | 0,223 € | 6,69 € |
| 750 - 1470 | 0,217 € | 6,51 € |
| 1500 - 2970 | 0,211 € | 6,33 € |
| 3000 + | 0,206 € | 6,18 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 826-7731
- Codice costruttore:
- RRF015P03TL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | RRF015P03 | |
| Tipo di package | TUMT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 230mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 800mW | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.82mm | |
| Lunghezza | 2.1mm | |
| Larghezza | 1.8 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie RRF015P03 | ||
Tipo di package TUMT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 230mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 800mW | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.82mm | ||
Lunghezza 2.1mm | ||
Larghezza 1.8 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TH
Transistor MOSFET a canale P, ROHM
Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor
Link consigliati
- MOSFET ROHM 160 mΩ5 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 360 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie RQ5L015SPTL
- MOSFET ROHM 270 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie RQ5E015RPTL
- MOSFET Infineon 230 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 230 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie BSS314PEH6327XTSA1
- MOSFET ROHM 540 mΩ N 3 Pin Superficie
- MOSFET ROHM 540 mΩ N 3 Pin Superficie RUF025N02FRATL
- MOSFET ROHM 2.7 mΩ Miglioramento SOT
