MOSFET Infineon, canale N, 20 Ω, 110 mA, SOT-23, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 827-0070
- Codice costruttore:
- BSS131H6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 250)
0,182 €
(IVA esclusa)
0,222 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Bobina* |
| 250 - 250 | 0,182 € | 45,50 € |
| 500 - 1000 | 0,097 € | 24,25 € |
| 1250 - 2250 | 0,091 € | 22,75 € |
| 2500 - 6000 | 0,084 € | 21,00 € |
| 6250 + | 0,078 € | 19,50 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 827-0070
- Codice costruttore:
- BSS131H6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale N Infineon SIPMOS®
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 110 mA |
| Tensione massima drain source | 240 V |
| Serie | SIPMOS |
| Tipo di package | SOT-23 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 20 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 1.8V |
| Tensione di soglia gate minima | 0.8V |
| Dissipazione di potenza massima | 360 mW |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Carica gate tipica @ Vgs | 2,1 nC a 10 V |
| Lunghezza | 2.9mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Materiale del transistor | Si |
| Larghezza | 1.3mm |
| Altezza | 1mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
- Codice RS:
- 827-0070
- Codice costruttore:
- BSS131H6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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