MOSFET Texas Instruments, canale N, 17,3 mΩ, 73 A, VSONP, Montaggio superficiale

Codice RS:: 827-4833P
Codice costruttore:: CSD17307Q5A
Costruttore:: Texas Instruments

MOSFET Texas Instruments, canale N, 17,3 mΩ, 73 A, VSONP, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 827-4833P
Codice costruttore:: CSD17307Q5A
Costruttore:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	73 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	VSONP
Serie	NexFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	17,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.8V
Tensione di soglia gate minima	0.9V
Dissipazione di potenza massima	3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +10 V
Carica gate tipica @ Vgs	4 nC a 4,5 V
Lunghezza	5.8mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Texas Instruments, canale N, 17,3 mΩ, 73 A, VSONP, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments