MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,8 mΩ, 273 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 827-4903P
Codice costruttore:: CSD19506KCS
Costruttore:: Texas Instruments

MOSFET Texas Instruments, canale N, 2,8 mΩ, 273 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 827-4903P
Codice costruttore:: CSD19506KCS
Costruttore:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	273 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	NexFET
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.2V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	120 nC @ 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.7mm
Altezza	16.51mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments

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