MOSFET Infineon, canale N, 420 mΩ, 8,7 A, TO-247, Su foro
- Codice RS:
- 857-7148
- Codice costruttore:
- IPW65R420CFDFKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 240 unità*
372,00 €
(IVA esclusa)
453,60 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | 1,55 € | 372,00 € |
| 480 - 960 | 1,472 € | 353,28 € |
| 1200 + | 1,40 € | 336,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 857-7148
- Codice costruttore:
- IPW65R420CFDFKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 8,7 A | |
| Tensione massima drain source | 700 V | |
| Serie | CoolMOS CFD | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 420 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4.5V | |
| Tensione di soglia gate minima | 3.5V | |
| Dissipazione di potenza massima | 83,3 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Larghezza | 5.21mm | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 31,5 nC a 10 V | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Lunghezza | 16.13mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Altezza | 21.1mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 8,7 A | ||
Tensione massima drain source 700 V | ||
Serie CoolMOS CFD | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 420 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4.5V | ||
Tensione di soglia gate minima 3.5V | ||
Dissipazione di potenza massima 83,3 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -30 V, +30 V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Materiale del transistor Si | ||
Larghezza 5.21mm | ||
Carica gate tipica @ Vgs 31,5 nC a 10 V | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Lunghezza 16.13mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Altezza 21.1mm | ||
MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™ CFD
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.