MOSFET Infineon, PG-TO247-4, Montaggio superficiale

Il MOSFET SiC CoolSiC da 1200 V e 60 mΩ Infineon nel contenitore TO247-4 si basa su un processo a semiconduttore a trincea all'avanguardia ottimizzato per combinare prestazioni e affidabilità. Rispetto agli interruttori tradizionali a base di silicio come IGBT e MOSFET, il MOSFET SiC offre una serie di vantaggi. Questi includono, i livelli di carica del gate e di capacità del dispositivo più bassi osservati negli interruttori da 1200 V, nessuna perdita di recupero inverso del diodo corpo a prova di commutazione interno, basse perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura e caratteristica di stato attivo senza soglia. I MOSFET CoolSiC sono ideali per topologie di commutazione rigide e risonanti come circuiti di correzione del fattore di potenza, topologie bidirezionali e convertitori c.c.-c.c. o inverter c.c.-c.c.

Ampia gamma di tensioni gate-sorgente
Diodo del corpo robusto e a bassa perdita per la commutazione rigida
Perdite di commutazione di spegnimento indipendenti dalla temperatura
Massima efficienza
Riduzione dello sforzo di raffreddamento