MOSFET onsemi, canale Tipo N 600 V, 170 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante FCPF190N60

Codice RS:: 864-7913
Codice costruttore:: FCPF190N60
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 600 V, 170 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante FCPF190N60

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

2,73 €

(IVA esclusa)

3,33 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Ultimi pezzi su RS

Più 2 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
Ultime 886 unità in spedizione dal 07 settembre 2026

Unità	Per unità	Per confezione*
2 +	1,365 €	2,73 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 864-7913
Codice costruttore:: FCPF190N60
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	20A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	SuperFET II
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	170mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	57nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	39W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	16.07mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.36mm
	Larghezza	4.9mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 20A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Tipo di package TO-220
	Serie SuperFET II
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 170mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 57nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 39W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 16.07mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.36mm
	Larghezza 4.9mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Fairchild ha aggiunto ai propri prodotti la famiglia di MOSFET di potenza ad alta tensione SuperFET® II che utilizza la Tecnologia Super Junction. Offre un diodo integrato dalle prestazioni solide e migliori della categoria nelle applicazioni con alimentatori switching c.a.-c.c. come server, telecomunicazioni, informatica, alimentatori industriali, UPS/ESS, inverter solari, applicazioni di illuminazione, che richiedono un'elevata densità di potenza, efficienza del sistema e affidabilità.

Grazie a un'avanzata tecnologia di bilanciamento della carica, i progettisti possono realizzare soluzioni più efficienti e ad alte prestazioni che richiedono meno spazio su scheda e migliorano l'affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

MOSFET onsemi, canale Tipo N 600 V, 170 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante FCPF190N60

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!