MOSFET onsemi, canale N, 8,5 mΩ, 52 A, SO-8FL, Montaggio superficiale

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

52 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SO-8FL

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

8,5 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.1V

Dissipazione di potenza massima

25,5 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

5.1mm

Carica gate tipica @ Vgs

22,2 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

6.1mm

Numero di elementi per chip

1

Tensione diretta del diodo

1.1V

Altezza

1.05mm

Minima temperatura operativa

-55 °C