MOSFET IXYS, canale N, 1,3 mΩ, 600 A, SMPD, Montaggio superficiale

Name: MOSFET IXYS, canale N, 1,3 mΩ, 600 A, SMPD, Montaggio superficiale
Brand: IXYS
SKU: 875-2475P
Price: 22.95 EUR

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Prezzo per Pezzo (fornito in stecca)

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Unità	Per unità
1 +	18,81 €

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	600 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SMPD
Serie	GigaMOS, HiperFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	24
Resistenza massima drain source	1,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Dissipazione di potenza massima	830 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	25.25mm
Larghezza	23.25mm
Carica gate tipica @ Vgs	590 nC @ 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	5.7mm
Tensione diretta del diodo	1.2V