MOSFET IXYS, canale N, 1,3 mΩ, 600 A, SMPD, Montaggio superficiale

Codice RS:: 875-2475P
Codice costruttore:: MMIX1T600N04T2
Costruttore:: IXYS

MOSFET IXYS, canale N, 1,3 mΩ, 600 A, SMPD, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 875-2475P
Codice costruttore:: MMIX1T600N04T2
Costruttore:: IXYS

MMIX1T600N04T2, TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET N-Channel 40V 600A SMPD
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	600 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SMPD
Serie	GigaMOS, HiperFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	24
Resistenza massima drain source	1,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Dissipazione di potenza massima	830 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	23.25mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	25.25mm
Carica gate tipica @ Vgs	590 nC @ 10 V
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	5.7mm

MOSFET IXYS, canale N, 1,3 mΩ, 600 A, SMPD, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS