MOSFET STMicroelectronics, canale N, 4,3 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

80 A

Tensione massima drain source

40 V

Tipo di package

TO-220

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

4,3 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

110 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Materiale del transistor

Si

Larghezza

4.6mm

Carica gate tipica @ Vgs

65 nC a 10 V

Lunghezza

10.4mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Numero di elementi per chip

1

Altezza

15.75mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Serie

STripFET F6

Tensione diretta del diodo

1.1V