MOSFET STMicroelectronics, canale N, 165 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

17 A

Tensione massima drain source

250 V

Tipo di package

TO-220

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

165 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

90 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

29,5 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

10.4mm

Larghezza

4.6mm

Materiale del transistor

Si

Minima temperatura operativa

-55 °C

Serie

STripFET II

Altezza

15.75mm