MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 165 mΩ, 17 A, TO-252, Superficie

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Codice RS:
258-3979
Codice costruttore:
IRFR15N20DTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

165mΩ

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza Infineon utilizzano processi al silicio collaudati che offrono ai progettisti un'ampia gamma di dispositivi per supportare varie applicazioni come motori c.c., inverter, SMPS, illuminazione, interruttori di carico, nonché applicazioni alimentate a batteria. I dispositivi sono disponibili in una varietà di contenitori per montaggio superficiale e a foro passante con ingombri standard industriali per una maggiore facilità di progettazione.

Struttura della cella planare per un'ampia SOA

Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Maggiore robustezza

Compatibilità con più fornitori

Livello di qualificazione standard industriale

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