MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 600 mΩ, 5 A, TO-252, Superficie IRFR220NTRPBF
- Codice RS:
- 258-3982
- Codice Distrelec:
- 304-40-536
- Codice costruttore:
- IRFR220NTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 5 unità*
5,96 €
(IVA esclusa)
7,27 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 990 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,192 € | 5,96 € |
| 50 - 120 | 1,072 € | 5,36 € |
| 125 - 245 | 1,00 € | 5,00 € |
| 250 - 495 | 0,926 € | 4,63 € |
| 500 + | 0,86 € | 4,30 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3982
- Codice Distrelec:
- 304-40-536
- Codice costruttore:
- IRFR220NTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 600mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 43W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 600mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 43W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La famiglia MOSFET Infineon di MOSFET di potenza utilizza processi al silicio collaudati che offrono ai progettisti un'ampia gamma di dispositivi per supportare varie applicazioni come motori c.c., inverter, SMPS, illuminazione, interruttori di carico, nonché applicazioni alimentate a batteria. I dispositivi sono disponibili in una varietà di contenitori per montaggio superficiale e a foro passante con ingombri standard industriali per una maggiore facilità di progettazione.
Struttura della cella planare per un'ampia SOA
Maggiore robustezza
Ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Livello di qualificazione standard industriale
Link consigliati
- MOSFET Infineon 600 mΩ TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRFR220NTRLPBF
- MOSFET Infineon 165 mΩ TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 165 mΩ TO-252, Superficie IRFR15N20DTRPBF
- MOSFET Infineon 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPD60R600P7SAUMA1
- MOSFET Infineon 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPD60R600P7ATMA1