MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 600 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
217-2616
Codice costruttore:
IRFR220NTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

43W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

2.39 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

10.41mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 200V in contenitore D-Pak.

Struttura di celle planari per SOA estesa

Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione

Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per le applicazioni con commutazione al di sotto
Contenitore di potenza a montaggio superficiale standard industriale

In grado di essere saldato a onda

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