MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 1200 V, 196 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 904-7348P
- Codice costruttore:
- C2M0160120D
- Costruttore:
- Wolfspeed
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- Codice RS:
- 904-7348P
- Codice costruttore:
- C2M0160120D
- Costruttore:
- Wolfspeed
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Wolfspeed | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 19A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 196mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 34nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 3.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 16.13mm | |
| Altezza | 21.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Wolfspeed | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 19A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 196mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 3.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 16.13mm | ||
Altezza 21.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed
MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree, in grado di erogare densità di potenza ed efficienza di commutazione leader nel settore. Questi dispositivi a bassa capacità consentono frequenze di commutazione più alte e presentano minori requisiti di raffreddamento che migliorano l'efficienza operativa totale del sistema.
• Tecnologia SiC a canale N in modalità potenziata
• Tensione di scarica distruttiva elevata drain-source: fino a 1200 V
• Dispositivi multipli sono facili da azionare in parallelo o in modalità semplice
• Commutazione ad alta velocità con bassa resistenza all'accensione
• Funzionamento resistente a latch-up