MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 13.5 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRLR2905ZTRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
915-5095
Codice costruttore:
IRLR2905ZTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Larghezza

7.49 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-44-478

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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