MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,3 Ω, 8 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 920-8862
Codice costruttore:: STW9NK90Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,3 Ω, 8 A, TO-247, Su foro

390 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 30)

2,888 €

(IVA esclusa)

3,523 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per stecca*
30 - 60	2,888 €	86,64 €
90 - 480	2,311 €	69,33 €
510 - 960	2,048 €	61,44 €
990 - 4980	1,721 €	51,63 €
5010 +	1,658 €	49,74 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 920-8862
Codice costruttore:: STW9NK90Z
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	900 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,3 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	160 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	5.15mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	72 nC a 10 V
Lunghezza	15.75mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	20.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Codice RS:: 920-8862
Codice costruttore:: STW9NK90Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,3 Ω, 8 A, TO-247, Su foro

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

Specifiche

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

Link consigliati