MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 700 mΩ Miglioramento, 630 mA, 3 Pin, SC-89, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

99,00 €

(IVA esclusa)

120,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 36.000 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
  • Più 456.000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 60000,033 €99,00 €
9000 +0,032 €96,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
922-8367
Codice costruttore:
DMG1012T-7
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

630mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

DMG1012T-7

Tipo di package

SC-89

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

700mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.74nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

6 V

Dissipazione di potenza massima Pd

280mW

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.7mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

0.85 mm

Altezza

0.8mm

Standard automobilistico

AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


Link consigliati