MOSFET DiodesZetex, canale N 20 V, 15 Ω Miglioramento, 230 mA, 3 Pin, SC-89, Superficie

Codice RS:: 246-6801
Codice costruttore:: DMN2710UTQ-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N 20 V, 15 Ω Miglioramento, 230 mA, 3 Pin, SC-89, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

207,00 €

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Codice RS:: 246-6801
Codice costruttore:: DMN2710UTQ-7
Costruttore:: DiodesZetex

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	DiodesZetex
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	230mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Tipo di package	SC-89
	Serie	DMN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	15Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	12.9nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	10V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	300mW
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	800μm
	Larghezza	850μm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	1.7mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio DiodesZetex
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 230mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Tipo di package SC-89
	Serie DMN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 15Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12.9nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 300mW
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 800μm
	Larghezza 850μm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 1.7mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - DMN2710UTQ-7

DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SOT523. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 20 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±6 V Offre dimensioni del contenitore ultra-piccole Il suo contenitore termicamente efficiente consente prodotti finali a densità più elevata

MOSFET DiodesZetex, canale N 20 V, 15 Ω Miglioramento, 230 mA, 3 Pin, SC-89, Superficie

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