MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 15 Ω Miglioramento, 230 mA, 3 Pin, SC-89, Superficie DMN2710UTQ-7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7514
Codice costruttore:
DMN2710UTQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

230mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

DMN

Tipo di package

SC-89

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Dissipazione di potenza massima Pd

300mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

0.85mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

1.7mm

Altezza

0.8mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SOT523. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 20 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±6 V Offre dimensioni del contenitore ultra-piccole Il suo contenitore termicamente efficiente consente prodotti finali a densità più elevata

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