MOSFET DiodesZetex, canale N 20 V, 15 Ω Miglioramento, 230 mA, 3 Pin, SC-89, Superficie DMN2710UTQ-7

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

4,93 €

(IVA esclusa)

6,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2950 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 250,197 €4,93 €
50 - 750,193 €4,83 €
100 - 2250,142 €3,55 €
250 - 9750,139 €3,48 €
1000 +0,136 €3,40 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
246-7514
Codice costruttore:
DMN2710UTQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

230mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SC-89

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

300mW

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

850μm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

1.7mm

Altezza

800μm

Standard automobilistico

AEC-Q101

DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Si tratta di un dispositivo verde e completamente privo di piombo, alogeni e antimonio. Questo MOSFET viene fornito in un contenitore SOT523. DiodesZetex realizza un MOSFET in modalità di potenziamento a canale N, progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

La tensione massima da drenaggio a sorgente è di 20 V La tensione massima da gate a sorgente è di ±6 V Offre dimensioni del contenitore ultra-piccole Il suo contenitore termicamente efficiente consente prodotti finali a densità più elevata

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.