IGBT ON Semiconductor, VCE 1300 V, IC 60 A, canale N, TO-247

On Semiconductor FGH30S130P è un IGBT da 1300V, 30A con tecnologie di corto-anodo e trincea di arresto sul campo. Le applicazioni di commutazione soft sono ideali per il modello FGH30S130P, con conduzione efficiente e elevate prestazioni di commutazione. L'IGBT FGH30S130P può funzionare in configurazione parallela e offre ottime capacità di valanghe.
L'IGBT FGH30S130P è progettato per l'uso nel riscaldamento ad induzione, nei forni a microonde e in altri elettrodomestici.

• Pacchetto TO-247
• Commutazione ad alta velocità
• Conduzione superiore
• Bassa tensione di saturazione
• Elevata impedenza di ingresso

Versioni disponibili:
864-8849 - confezione da 2
166-3300 - tubo da 30

Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor

Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.