Infineon Memoria SDRAM DDR S27KS0643GABHV020, 64 MB Superficie, FBGA 8 bit 24 Pin

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Codice RS:
201-7969
Codice costruttore:
S27KS0643GABHV020
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Memoria SDRAM DDR

Dimensione memoria

64MB

Organizzazione

8M x 8 Bit

Larghezza bus dati

8bit

Larghezza indirizzi bus

16bit

Numero bit per parola

8

Frequenza di clock massima

200MHz

Tempo massimo di accesso casuale

35ns

Numero parole

8K

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

FBGA

Numero pin

24

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

105°C

Larghezza

8 mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Serie

S27KS0643

Lunghezza

8mm

Tensione minima di alimentazione

1.7V

Tensione massima di alimentazione

2V

Standard automobilistico

No

Cypress Semiconductor S27KL0642/S27KS0642 è un HyperRAM da 64 Mb che è un CMOS ad alta velocità, DRAM auto-refresh, con interfaccia Hyper Bus. L'array della DRAM utilizza celle dinamiche che richiedono un aggiornamento periodico. La logica di controllo di rinfresco che si trova all'interno del dispositivo, gestisce le operazioni di rinfresco sull'array DRAM quando la memoria non è attivamente letta o scritta dall'master di interfaccia Hyper Bus (host). L'array DRAM appare all'host come se la memoria utilizzi celle statiche che conservano i dati senza aggiornamento, poiché l'host non è necessario per gestire le operazioni di aggiornamento. Quindi, questa memoria è chiamata più accuratamente o può essere descritta come RAM pseudo statica (PSRAM).

Temperatura d'esercizio: da -40 °C a +85 °C

Larghezza di banda dell'interfaccia (Mbps): 400Mbps

Conformità RoHS

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