Infineon Memoria SDRAM DDR S27KS0643GABHV020, 64 MB Superficie, FBGA 8 bit 24 Pin
- Codice RS:
- 201-7969
- Codice costruttore:
- S27KS0643GABHV020
- Costruttore:
- Infineon
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Vassoi | Per Vassoio | Per unità* |
|---|---|---|
| 1 + | 957,22 € | 2,832 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 201-7969
- Codice costruttore:
- S27KS0643GABHV020
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Memoria SDRAM DDR | |
| Dimensione memoria | 64MB | |
| Organizzazione | 8M x 8 Bit | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Larghezza indirizzi bus | 16bit | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Frequenza di clock massima | 200MHz | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 35ns | |
| Numero parole | 8K | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | FBGA | |
| Numero pin | 24 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 105°C | |
| Larghezza | 8 mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | S27KS0643 | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Tensione minima di alimentazione | 1.7V | |
| Tensione massima di alimentazione | 2V | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Memoria SDRAM DDR | ||
Dimensione memoria 64MB | ||
Organizzazione 8M x 8 Bit | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Larghezza indirizzi bus 16bit | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Frequenza di clock massima 200MHz | ||
Tempo massimo di accesso casuale 35ns | ||
Numero parole 8K | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package FBGA | ||
Numero pin 24 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 105°C | ||
Larghezza 8 mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie S27KS0643 | ||
Lunghezza 8mm | ||
Tensione minima di alimentazione 1.7V | ||
Tensione massima di alimentazione 2V | ||
Standard automobilistico No | ||
Cypress Semiconductor S27KL0642/S27KS0642 è un HyperRAM da 64 Mb che è un CMOS ad alta velocità, DRAM auto-refresh, con interfaccia Hyper Bus. L'array della DRAM utilizza celle dinamiche che richiedono un aggiornamento periodico. La logica di controllo di rinfresco che si trova all'interno del dispositivo, gestisce le operazioni di rinfresco sull'array DRAM quando la memoria non è attivamente letta o scritta dall'master di interfaccia Hyper Bus (host). L'array DRAM appare all'host come se la memoria utilizzi celle statiche che conservano i dati senza aggiornamento, poiché l'host non è necessario per gestire le operazioni di aggiornamento. Quindi, questa memoria è chiamata più accuratamente o può essere descritta come RAM pseudo statica (PSRAM).
Temperatura d'esercizio: da -40 °C a +85 °C
Larghezza di banda dell'interfaccia (Mbps): 400Mbps
Conformità RoHS
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