Memoria SDRAM DDR S27KS0643GABHV020, 64Mbit, 200MHz, Da 1,7 V a 2 V, FBGA 24 Pin DDR
- Codice RS:
- 201-7970
- Codice costruttore:
- S27KS0643GABHV020
- Costruttore:
- Infineon
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Confezione/i | Per confezione | Per unità* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 201-7970
- Codice costruttore:
- S27KS0643GABHV020
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 64Mbit | |
| Organizzazione | 8 M x 8 | |
| Classe SDRAM | DDR | |
| Flusso dati | 200MHz | |
| Larghezza del bus dati | 8bit | |
| Larghezza del bus indirizzi | 16bit | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 35ns | |
| Numero di parole | 8M | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | FBGA | |
| Numero pin | 24 | |
| Dimensioni | 8 x 6 x 1mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 2 V | |
| Massima temperatura operativa | +105 °C | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 1,7 V | |
| Larghezza | 6mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 64Mbit | ||
Organizzazione 8 M x 8 | ||
Classe SDRAM DDR | ||
Flusso dati 200MHz | ||
Larghezza del bus dati 8bit | ||
Larghezza del bus indirizzi 16bit | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 35ns | ||
Numero di parole 8M | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package FBGA | ||
Numero pin 24 | ||
Dimensioni 8 x 6 x 1mm | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 8mm | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 2 V | ||
Massima temperatura operativa +105 °C | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 1,7 V | ||
Larghezza 6mm | ||
Cypress Semiconductor S27KL0642/S27KS0642 è un HyperRAM da 64 Mb che è un CMOS ad alta velocità, DRAM auto-refresh, con interfaccia Hyper Bus. L'array della DRAM utilizza celle dinamiche che richiedono un aggiornamento periodico. La logica di controllo di rinfresco che si trova all'interno del dispositivo, gestisce le operazioni di rinfresco sull'array DRAM quando la memoria non è attivamente letta o scritta dall'master di interfaccia Hyper Bus (host). L'array DRAM appare all'host come se la memoria utilizzi celle statiche che conservano i dati senza aggiornamento, poiché l'host non è necessario per gestire le operazioni di aggiornamento. Quindi, questa memoria è chiamata più accuratamente o può essere descritta come RAM pseudo statica (PSRAM).
Temperatura d'esercizio: da -40 °C a +85 °C
Larghezza di banda dell'interfaccia (Mbps): 400Mbps
Conformità RoHS
Larghezza di banda dell'interfaccia (Mbps): 400Mbps
Conformità RoHS
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