Memoria SDRAM DDR S27KS0643GABHV020, 64Mbit, 200MHz, Da 1,7 V a 2 V, FBGA 24 Pin DDR

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Codice RS:
201-7970
Codice costruttore:
S27KS0643GABHV020
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

64Mbit

Organizzazione

8 M x 8

Classe SDRAM

DDR

Flusso dati

200MHz

Larghezza del bus dati

8bit

Larghezza del bus indirizzi

16bit

Numero di bit per parola

8bit

Tempo di accesso casuale massimo

35ns

Numero di parole

8M

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

FBGA

Numero pin

24

Dimensioni

8 x 6 x 1mm

Altezza

1mm

Lunghezza

8mm

Tensione di alimentazione operativa massima

2 V

Massima temperatura operativa

+105 °C

Minima temperatura operativa

-40 °C

Tensione di alimentazione operativa minima

1,7 V

Larghezza

6mm

Cypress Semiconductor S27KL0642/S27KS0642 è un HyperRAM da 64 Mb che è un CMOS ad alta velocità, DRAM auto-refresh, con interfaccia Hyper Bus. L'array della DRAM utilizza celle dinamiche che richiedono un aggiornamento periodico. La logica di controllo di rinfresco che si trova all'interno del dispositivo, gestisce le operazioni di rinfresco sull'array DRAM quando la memoria non è attivamente letta o scritta dall'master di interfaccia Hyper Bus (host). L'array DRAM appare all'host come se la memoria utilizzi celle statiche che conservano i dati senza aggiornamento, poiché l'host non è necessario per gestire le operazioni di aggiornamento. Quindi, questa memoria è chiamata più accuratamente o può essere descritta come RAM pseudo statica (PSRAM).

Temperatura d'esercizio: da -40 °C a +85 °C
Larghezza di banda dell'interfaccia (Mbps): 400Mbps
Conformità RoHS

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