Infineon SDRAM Certificazione AEC Q100 Grado 2 e 3 S27KL0642DPBHI020, 64 MB Superficie, FBGA-24 a sfera 8 bit 24 Pin

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Codice RS:
273-7512
Codice costruttore:
S27KL0642DPBHI020
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensione memoria

64MB

Tipo prodotto

SDRAM

Larghezza bus dati

8bit

Numero bit per parola

16

Frequenza di clock massima

200MHz

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

FBGA-24 a sfera

Numero pin

24

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

105°C

Serie

S27K

Lunghezza

6mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8 mm

Corrente di alimentazione

360μA

Standard automobilistico

Certificazione AEC Q100 Grado 2 e 3

Tensione massima di alimentazione

3.6V

Tensione minima di alimentazione

1.8V

Quella di Infineon è una DRAM CMOS ad alta velocità, autoaggiornante, con interfaccia HYPERBUS. L'array DRAM utilizza celle dinamiche che richiedono un aggiornamento periodico. La logica di controllo del refresh all'interno del dispositivo gestisce le operazioni di refresh sull'array DRAM quando la memoria non viene letta o scritta attivamente dal master dell'interfaccia HYPERBUS. Poiché l'host non deve gestire alcuna operazione di refresh, l'array DRAM appare all'host come se la memoria utilizzasse celle statiche che conservano i dati senza refresh. Per questo motivo, la memoria è descritta più accuratamente come RAM pseudo-statica (Pseudo Static RAM o PSRAM).

Velocità di clock massima 200 MHz

Velocità di trasferimento dati fino a 400 MBps

Strobe di lettura e scrittura bidirezionali

AEC Q100 automobilistico di grado 2 e 3

Strobe di lettura allineato al centro DDR opzionale

DDR trasferisce i dati su entrambi i fronti del clock

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