Infineon SDRAM Certificazione AEC Q100 Grado 2 e 3 S27KL0642DPBHI020, 64 MB Superficie, FBGA-24 a sfera 8 bit 24 Pin
- Codice RS:
- 273-7512
- Codice costruttore:
- S27KL0642DPBHI020
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 338 - 676 | 2,352 € | 794,98 € |
| 1014 + | 2,26 € | 763,88 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7512
- Codice costruttore:
- S27KL0642DPBHI020
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensione memoria | 64MB | |
| Tipo prodotto | SDRAM | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Numero bit per parola | 16 | |
| Frequenza di clock massima | 200MHz | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | FBGA-24 a sfera | |
| Numero pin | 24 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 105°C | |
| Serie | S27K | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 8 mm | |
| Corrente di alimentazione | 360μA | |
| Standard automobilistico | Certificazione AEC Q100 Grado 2 e 3 | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Tensione minima di alimentazione | 1.8V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensione memoria 64MB | ||
Tipo prodotto SDRAM | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Numero bit per parola 16 | ||
Frequenza di clock massima 200MHz | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package FBGA-24 a sfera | ||
Numero pin 24 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 105°C | ||
Serie S27K | ||
Lunghezza 6mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 8 mm | ||
Corrente di alimentazione 360μA | ||
Standard automobilistico Certificazione AEC Q100 Grado 2 e 3 | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Tensione minima di alimentazione 1.8V | ||
Quella di Infineon è una DRAM CMOS ad alta velocità, autoaggiornante, con interfaccia HYPERBUS. L'array DRAM utilizza celle dinamiche che richiedono un aggiornamento periodico. La logica di controllo del refresh all'interno del dispositivo gestisce le operazioni di refresh sull'array DRAM quando la memoria non viene letta o scritta attivamente dal master dell'interfaccia HYPERBUS. Poiché l'host non deve gestire alcuna operazione di refresh, l'array DRAM appare all'host come se la memoria utilizzasse celle statiche che conservano i dati senza refresh. Per questo motivo, la memoria è descritta più accuratamente come RAM pseudo-statica (Pseudo Static RAM o PSRAM).
Velocità di clock massima 200 MHz
Velocità di trasferimento dati fino a 400 MBps
Strobe di lettura e scrittura bidirezionali
AEC Q100 automobilistico di grado 2 e 3
Strobe di lettura allineato al centro DDR opzionale
DDR trasferisce i dati su entrambi i fronti del clock
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