SDRAM AS4C16M16SA-6BIN, 256Mbit, 166MHz, 3 V → 3,6 V, TFBGA 54 Pin DDR

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Codice RS:
230-8411
Codice costruttore:
AS4C16M16SA-6BIN
Costruttore:
Alliance Memory
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Marchio

Alliance Memory

Dimensioni memoria

256Mbit

Organizzazione

16 M x 16

Classe SDRAM

DDR

Flusso dati

166MHz

Larghezza del bus dati

16bit

Larghezza del bus indirizzi

13bit

Numero di bit per parola

16bit

Tempo di accesso casuale massimo

5ns

Numero di parole

16 M

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

TFBGA

Numero pin

54

Dimensioni

8.0 x 8.0 x 1.2mm

Altezza

1.2mm

Lunghezza

8.0mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,6 V

Massima temperatura operativa

+85 °C

Minima temperatura operativa

-40 °C

Tensione di alimentazione operativa minima

3 V

Larghezza

8.0mm

La SDRAM 256MB Alliance Memory è una DRAM sincrona CMOS ad alta velocità contenente 256 Mbit. È configurato internamente come 4 banchi di 4M word x 16 DRAM con interfaccia sincrona (tutti i segnali sono registrati sul fronte positivo del segnale di clock, CLK). Gli accessi in lettura e scrittura alla SDRAM sono orientati al burst

gli accessi partono da una posizione selezionata e continuano per un numero programmato di posizioni in una sequenza programmata. Gli accessi iniziano con la registrazione di un comando BankActivate seguito da un comando Read o Write.

Tempo di accesso rapido dall'orologio: 5/5,4 ns
Frequenza di clock rapida: 166/143 MHz
Funzionamento completamente sincrono
Architettura pipeline interna
4m parola x 16 bit x 4 banchi

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