SDRAM AS4C16M16SA-6BIN, 256Mbit, 166MHz, 3 V → 3,6 V, TFBGA 54 Pin DDR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
230-8412
Codice costruttore:
AS4C16M16SA-6BIN
Costruttore:
Alliance Memory
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Marchio

Alliance Memory

Dimensioni memoria

256Mbit

Classe SDRAM

DDR

Organizzazione

16 M x 16

Flusso dati

166MHz

Larghezza del bus dati

16bit

Larghezza del bus indirizzi

13bit

Numero di bit per parola

16bit

Tempo di accesso casuale massimo

5ns

Numero di parole

16 M

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

TFBGA

Numero pin

54

Dimensioni

8.0 x 8.0 x 1.2mm

Altezza

1.2mm

Lunghezza

8.0mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,6 V

Massima temperatura operativa

+85 °C

Minima temperatura operativa

-40 °C

Tensione di alimentazione operativa minima

3 V

Larghezza

8.0mm

La SDRAM 256MB Alliance Memory è una DRAM sincrona CMOS ad alta velocità contenente 256 Mbit. È configurato internamente come 4 banchi di 4M word x 16 DRAM con interfaccia sincrona (tutti i segnali sono registrati sul fronte positivo del segnale di clock, CLK). Gli accessi in lettura e scrittura alla SDRAM sono orientati al burst

gli accessi partono da una posizione selezionata e continuano per un numero programmato di posizioni in una sequenza programmata. Gli accessi iniziano con la registrazione di un comando BankActivate seguito da un comando Read o Write.

Tempo di accesso rapido dall'orologio: 5/5,4 ns
Frequenza di clock rapida: 166/143 MHz
Funzionamento completamente sincrono
Architettura pipeline interna
4m parola x 16 bit x 4 banchi

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