SDRAM AS4C4M16SA-6TIN, 64Mbit, 200MHz, 3 V → 3,6 V, TSOP 54 Pin DDR

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Codice RS:
230-8429
Codice costruttore:
AS4C4M16SA-6TIN
Costruttore:
Alliance Memory
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Marchio

Alliance Memory

Dimensioni memoria

64Mbit

Classe SDRAM

DDR

Organizzazione

4m x 16

Flusso dati

200MHz

Larghezza del bus dati

16bit

Larghezza del bus indirizzi

13bit

Numero di bit per parola

16bit

Tempo di accesso casuale massimo

5.4ns

Numero di parole

4M

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

TSOP

Numero pin

54

Dimensioni

22.35 x 10.29 x 1.2mm

Altezza

1.2mm

Lunghezza

22.35mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,6 V

Massima temperatura operativa

+85 °C

Minima temperatura operativa

-40 °C

Tensione di alimentazione operativa minima

3 V

Larghezza

10.29mm

La SDRAM 64MB Alliance Memory è una DRAM sincrona CMOS ad alta velocità contenente 64 Mbit. È configurato internamente come 4 banchi di 1M word x 16 DRAM con interfaccia sincrona (tutti i segnali sono registrati sul fronte positivo del segnale di clock, CLK). Gli accessi in lettura e scrittura alla SDRAM sono orientati al burst

gli accessi partono da una posizione selezionata e continuano per un numero programmato di posizioni in una sequenza programmata. Gli accessi iniziano con la registrazione di un comando Bank Activate seguito da un comando Read o Write.

Tempo di accesso rapido dall'orologio: 4,5/5,4/5,4 ns
Frequenza di clock rapida: 200/166/143 MHz
Funzionamento completamente sincrono
Architettura pipeline interna
1m parola x 16 bit x 4 banchi

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