SRAM Infineon da 4Mbit, 512k x 8 bit, 32 Pin, SOIC, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
124-2941
Codice costruttore:
CY62148ELL-55SXI
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Dimensioni memoria

4Mbit

Organizzazione

512k x 8 bit

Numero di parole

512k

Numero di bit per parola

8bit

Tempo di accesso casuale massimo

45ns

Larghezza del bus indirizzi

8bit

Frequenza di clock

1MHz

Bassa potenza

Sì

Temporizzazione

Asincrono

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

SOIC

Numero pin

32

Dimensioni

20.75 x 11.43 x 2.81mm

Altezza

2.81mm

Tensione di alimentazione operativa massima

5,5 V

Lunghezza

20.75mm

Minima temperatura operativa

-40 °C

Tensione di alimentazione operativa minima

4,5 V

Massima temperatura operativa

+85 °C

Larghezza

11.43mm

Memoria SRAM Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor


I dispositivi di memoria SRAM MoBL a bassa potenza hanno un'elevata efficienza e offrono specifiche di dissipazione di potenza in standby (massima) leader del settore.

Velocità molto elevata: 45 ns
Gamma di tensione: Da 4,5 V a 5,5 V.
Pin compatibile con CY62148B.
Potenza di standby bassissima
Corrente di standby tipica: 1 μA
Corrente di standby massima: 7 μA (industriale)
Bassissima potenza attiva
Corrente attiva tipica: 2,0 mA a f = 1 MHz
Facile espansione della memoria con funzioni CE e OE
Spegnimento automatico quando deselezionato
Semiconduttore di ossido metallico complementare (CMOS) per la velocità e la potenza ottimali
Disponibile nei pacchetti Pb-free (TSOP) II a 32 pin e SOIC a 32 pin[1]


SRAM (memoria ad accesso causale statica)

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