Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 4Mbit, 512k x 8 bit, 32 Pin, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 188-5324
Codice costruttore:: CY62148ELL-55SXI
Costruttore:: Infineon

Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 4Mbit, 512k x 8 bit, 32 Pin, SOIC, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per Tubo*
25 - 25	7,448 €	186,20 €
50 - 75	7,247 €	181,18 €
100 - 225	7,053 €	176,33 €
250 - 475	6,874 €	171,85 €
500 +	6,703 €	167,58 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 188-5324
Codice costruttore:: CY62148ELL-55SXI
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Dimensioni memoria	4Mbit
	Organizzazione	512k x 8 bit
	Numero di parole	512k
	Numero di bit per parola	8bit
	Tempo di accesso casuale massimo	55ns
	Larghezza del bus indirizzi	8bit
	Frequenza di clock	1MHz
	Bassa potenza	Sì
	Temporizzazione	Asincrono
	Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
	Tipo di package	SOIC
	Numero pin	32
	Dimensioni	20.75 x 11.43 x 2.88mm
	Altezza	2.88mm
	Tensione di alimentazione operativa massima	5,5 V
	Tensione di alimentazione operativa minima	4,5 V
	Minima temperatura operativa	-40 °C
	Larghezza	11.43mm
	Massima temperatura operativa	+85 °C
	Lunghezza	20.75mm

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	Marchio Infineon
	Dimensioni memoria 4Mbit
	Organizzazione 512k x 8 bit
	Numero di parole 512k
	Numero di bit per parola 8bit
	Tempo di accesso casuale massimo 55ns
	Larghezza del bus indirizzi 8bit
	Frequenza di clock 1MHz
	Bassa potenza Sì
	Temporizzazione Asincrono
	Tipo di montaggio Montaggio superficiale
	Tipo di package SOIC
	Numero pin 32
	Dimensioni 20.75 x 11.43 x 2.88mm
	Altezza 2.88mm
	Tensione di alimentazione operativa massima 5,5 V
	Tensione di alimentazione operativa minima 4,5 V
	Minima temperatura operativa -40 °C
	Larghezza 11.43mm
	Massima temperatura operativa +85 °C
	Lunghezza 20.75mm

Datasheet CY62148ELL-55SXI

Paese di origine:: US

Memoria SRAM Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor

I dispositivi di memoria SRAM MoBL a bassa potenza hanno un'elevata efficienza e offrono specifiche di dissipazione di potenza in standby (massima) leader del settore.

Velocità molto elevata: 45 ns
Gamma di tensione: Da 4,5 V a 5,5 V.
Pin compatibile con CY62148B.
Potenza di standby bassissima
Corrente di standby tipica: 1 μA
Corrente di standby massima: 7 μA (industriale)
Bassissima potenza attiva
Corrente attiva tipica: 2,0 mA a f = 1 MHz
Facile espansione della memoria con funzioni CE e OE
Spegnimento automatico quando deselezionato
Semiconduttore di ossido metallico complementare (CMOS) per la velocità e la potenza ottimali
Disponibile nei pacchetti Pb-free (TSOP) II a 32 pin e SOIC a 32 pin[1]

SRAM (memoria ad accesso causale statica)

Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 4Mbit, 512k x 8 bit, 32 Pin, SOIC, Montaggio superficiale

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Memoria SRAM Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor

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