Memoria SRAM Cypress Semiconductor da 4Mbit, 512k x 8 bit, 32 Pin, SOIC, Montaggio superficiale

I dispositivi di memoria SRAM MoBL a bassa potenza hanno un'elevata efficienza e offrono specifiche di dissipazione di potenza in standby (massima) leader del settore.

Velocità molto elevata: 45 ns
Gamma di tensione: Da 4,5 V a 5,5 V.
Pin compatibile con CY62148B.
Potenza di standby bassissima
Corrente di standby tipica: 1 μA
Corrente di standby massima: 7 μA (industriale)
Bassissima potenza attiva
Corrente attiva tipica: 2,0 mA a f = 1 MHz
Facile espansione della memoria con funzioni CE e OE
Spegnimento automatico quando deselezionato
Semiconduttore di ossido metallico complementare (CMOS) per la velocità e la potenza ottimali
Disponibile nei pacchetti Pb-free (TSOP) II a 32 pin e SOIC a 32 pin[1]

SRAM (memoria ad accesso causale statica)