SRAM Renesas Electronics da 4Mbit, 256k x 16, 44 Pin, TSOP, Montaggio superficiale

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Codice RS:
250-0189
Codice costruttore:
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Dimensioni memoria

4Mbit

Organizzazione

256k x 16

Numero di parole

256k

Numero di bit per parola

16bit

Tempo di accesso casuale massimo

45ns

Bassa potenza

Sì

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di package

TSOP

Numero pin

44

Dimensioni

18.41 x 10.16 x 1mm

Tensione di alimentazione operativa massima

3,6 V

Altezza

1mm

Minima temperatura operativa

-40 °C

Lunghezza

18.41mm

Tensione di alimentazione operativa minima

2,7 V

Larghezza

10.16mm

Massima temperatura operativa

+85 °C

LPSRAM avanzata da 4 Mb (256 parole x 16 bit)


La serie RMLV0416E è una famiglia di RAM statiche da 4 Mbit organizzate a 262, 144 parole x 16 bit, realizzate con le tecnologie LPSRAM avanzate ad alte prestazioni di Renesas. La serie RMLV0416E ha raggiunto una maggiore densità, prestazioni superiori e basso consumo energetico. La serie RMLV0416E offre una bassa dissipazione di potenza in standby; pertanto, è adatta per sistemi di batteria di backup. È offerto in array a griglia a sfera TSOP (II) a 44 pin o a 48 sfere a passo sottile.

Caratteristiche principali


  • Alimentazione singola da 3 V: da 2,7 V a 3,6 V

  • Tempo di accesso: 45 ns (max.)

  • Consumo di corrente: standby: 0,3 μA (tip.)

  • Tempi di accesso e cicli uguali

  • Ingresso e uscita dati comuni, uscita a tre stati

  • Direttamente compatibile con TTL per tutti gli ingressi e le uscite

  • Funzionamento con batteria di backup

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