SRAM Renesas Electronics da 4 MB, 256k x 16, 44 Pin, TSOP, Superficie

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Codice RS:
250-0189
Codice costruttore:
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Dimensione memoria

4MB

Tipo prodotto

SRAM

Organizzazione

256k x 16

Numero parole

256K

Numero bit per parola

16

Tempo massimo di accesso casuale

45ns

Tensione minima di alimentazione

2.7V

Tensione massima di alimentazione

3.6V

Tipo montaggio

Superficie

Minima temperatura operativa

-40°C

Tipo di package

TSOP

Numero pin

44

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Lunghezza

18.41mm

Larghezza

10.16 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1mm

Serie

RMLV0416E

Corrente di alimentazione

10mA

Standard automobilistico

No

LPSRAM avanzata da 4 Mb (256 parole x 16 bit)


La serie RMLV0416E è una famiglia di RAM statiche da 4 Mbit organizzate a 262, 144 parole x 16 bit, realizzate con le tecnologie LPSRAM avanzate ad alte prestazioni di Renesas. La serie RMLV0416E ha raggiunto una maggiore densità, prestazioni superiori e basso consumo energetico. La serie RMLV0416E offre una bassa dissipazione di potenza in standby; pertanto, è adatta per sistemi di batteria di backup. È offerto in array a griglia a sfera TSOP (II) a 44 pin o a 48 sfere a passo sottile.

Caratteristiche principali


  • Alimentazione singola da 3 V: da 2,7 V a 3,6 V

  • Tempo di accesso: 45 ns (max.)

  • Consumo di corrente: standby: 0,3 μA (tip.)

  • Tempi di accesso e cicli uguali

  • Ingresso e uscita dati comuni, uscita a tre stati

  • Direttamente compatibile con TTL per tutti gli ingressi e le uscite

  • Funzionamento con batteria di backup

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