SRAM Renesas Electronics RMLV0416EGSB-4S2#AA1 da 4 MB, 44 Pin, TSOP, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0190
Codice costruttore:
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

SRAM

Dimensione memoria

4MB

Numero parole

256K

Numero bit per parola

16

Tempo massimo di accesso casuale

45ns

Tensione minima di alimentazione

2.7V

Tensione massima di alimentazione

3.6V

Tipo montaggio

Superficie

Minima temperatura operativa

-40°C

Tipo di package

TSOP

Numero pin

44

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Altezza

1mm

Serie

RMLV0416E

Lunghezza

18.41mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Corrente di alimentazione

10mA

LPSRAM avanzata da 4 Mb (256 parole x 16 bit)


La serie RMLV0416E è una famiglia di RAM statiche da 4 Mbit organizzate a 262, 144 parole x 16 bit, realizzate con le tecnologie LPSRAM avanzate ad alte prestazioni di Renesas. La serie RMLV0416E ha raggiunto una maggiore densità, prestazioni superiori e basso consumo energetico. La serie RMLV0416E offre una bassa dissipazione di potenza in standby; pertanto, è adatta per sistemi di batteria di backup. È offerto in array a griglia a sfera TSOP (II) a 44 pin o a 48 sfere a passo sottile.

Caratteristiche principali


  • Alimentazione singola da 3 V: da 2,7 V a 3,6 V

  • Tempo di accesso: 45 ns (max.)

  • Consumo di corrente: standby: 0,3 μA (tip.)

  • Tempi di accesso e cicli uguali

  • Ingresso e uscita dati comuni, uscita a tre stati

  • Direttamente compatibile con TTL per tutti gli ingressi e le uscite

  • Funzionamento con batteria di backup

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