SRAM Renesas Electronics da 1 MB, 256k x 16, 44 Pin, SOJ-44, Superficie

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Codice RS:
263-7916
Codice costruttore:
71V416S12PHG
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Dimensione memoria

1MB

Tipo prodotto

SRAM

Organizzazione

256k x 16

Numero parole

256K

Numero bit per parola

16

Tempo massimo di accesso casuale

12ns

Tensione minima di alimentazione

3V

Tipo di temporizzazione

Asincrono

Tensione massima di alimentazione

3.6V

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

SOJ-44

Minima temperatura operativa

0°C

Numero pin

44

Temperatura massima di funzionamento

70°C

Altezza

1mm

Lunghezza

18.41mm

Standard/Approvazioni

JEDEC

Serie

IDT71V416

Larghezza

10.16 mm

Standard automobilistico

No

Corrente di alimentazione

180mA

Paese di origine:
TW
La RAM statica CMOS 6 di Renesas Electronics è una RAM statica ad alta velocità organizzata come 64K x 16. È realizzato utilizzando la tecnologia CMOS ad alte prestazioni e alta affidabilità. Questa tecnologia all'avanguardia, combinata con tecniche innovative di progettazione dei circuiti, fornisce una soluzione conveniente per le esigenze di memoria ad alta velocità. Tutti gli ingressi e le uscite bidirezionali della RAM sono compatibili con TTL e il funzionamento è da un singolo alimentatore da 5 V. Viene utilizzato un circuito asincrono completamente statico, che non richiede clock o aggiornamento per il funzionamento.

Un chip di selezione più un pin di abilitazione di uscita

Ingressi e uscite dati bidirezionali direttamente compatibili con TTL

Basso consumo energetico tramite deselezione del chip

Pin di abilitazione per byte superiore e inferiore

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