SRAM Renesas Electronics da 1MB, 256K x 16
- Codice RS:
- 263-7917
- Codice costruttore:
- 71V416S12PHG
- Costruttore:
- Renesas Electronics
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 263-7917
- Codice costruttore:
- 71V416S12PHG
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Dimensioni memoria | 1MB | |
| Organizzazione | 256K x 16 | |
| Numero di parole | 256k | |
| Numero di bit per parola | 16bit | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 12ns | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Dimensioni memoria 1MB | ||
Organizzazione 256K x 16 | ||
Numero di parole 256k | ||
Numero di bit per parola 16bit | ||
Tempo di accesso casuale massimo 12ns | ||
- Paese di origine:
- TW
La RAM statica CMOS 6 di Renesas Electronics è una RAM statica ad alta velocità organizzata come 64K x 16. È realizzato utilizzando la tecnologia CMOS ad alte prestazioni e alta affidabilità. Questa tecnologia all'avanguardia, combinata con tecniche innovative di progettazione dei circuiti, fornisce una soluzione conveniente per le esigenze di memoria ad alta velocità. Tutti gli ingressi e le uscite bidirezionali della RAM sono compatibili con TTL e il funzionamento è da un singolo alimentatore da 5 V. Viene utilizzato un circuito asincrono completamente statico, che non richiede clock o aggiornamento per il funzionamento.
Un chip di selezione più un pin di abilitazione di uscita
Ingressi e uscite dati bidirezionali direttamente compatibili con TTL
Basso consumo energetico tramite deselezione del chip
Pin di abilitazione per byte superiore e inferiore
Ingressi e uscite dati bidirezionali direttamente compatibili con TTL
Basso consumo energetico tramite deselezione del chip
Pin di abilitazione per byte superiore e inferiore
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