SRAM Renesas Electronics da 1 MB, 64k x 16, 48 Pin, Superficie
- Codice RS:
- 264-1295
- Codice costruttore:
- 71V016SA12PHG8
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*
3049,50 €
(IVA esclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 2,033 € | 3.049,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-1295
- Codice costruttore:
- 71V016SA12PHG8
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo prodotto | SRAM | |
| Dimensione memoria | 1MB | |
| Organizzazione | 64k x 16 | |
| Numero parole | 64K | |
| Numero bit per parola | 16 | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 20ns | |
| Tipo di temporizzazione | Asincrono | |
| Tensione minima di alimentazione | 3V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Numero pin | 48 | |
| Altezza | 1mm | |
| Serie | IDT71V016 | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 18.41mm | |
| Larghezza | 10.16 mm | |
| Corrente di alimentazione | 170mA | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo prodotto SRAM | ||
Dimensione memoria 1MB | ||
Organizzazione 64k x 16 | ||
Numero parole 64K | ||
Numero bit per parola 16 | ||
Tempo massimo di accesso casuale 20ns | ||
Tipo di temporizzazione Asincrono | ||
Tensione minima di alimentazione 3V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Numero pin 48 | ||
Altezza 1mm | ||
Serie IDT71V016 | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 18.41mm | ||
Larghezza 10.16 mm | ||
Corrente di alimentazione 170mA | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
La RAM statica ad alta velocità Renesas Electronics è organizzata come 64K x 16. È realizzata utilizzando la tecnologia CMOS ad alte prestazioni e alta affidabilità. Questa tecnologia all'avanguardia, combinata con tecniche innovative di progettazione dei circuiti, fornisce una soluzione conveniente per le esigenze di memoria ad alta velocità.
Basso consumo energetico tramite deselezione del chip
Tempi di accesso e cicli uguali
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