SRAM Renesas Electronics 71V016SA15PHG8 da 1 MB, 64k x 16, 44 Pin, Superficie
- Codice RS:
- 264-1298
- Codice costruttore:
- 71V016SA15PHG8
- Costruttore:
- Renesas Electronics
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,568 € | 12,84 € |
| 50 - 95 | 2,264 € | 11,32 € |
| 100 - 245 | 2,02 € | 10,10 € |
| 250 - 495 | 1,97 € | 9,85 € |
| 500 + | 1,958 € | 9,79 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-1298
- Codice costruttore:
- 71V016SA15PHG8
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo prodotto | SRAM | |
| Dimensione memoria | 1MB | |
| Numero parole | 64K | |
| Numero bit per parola | 16 | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 20ns | |
| Tipo di temporizzazione | Asincrono | |
| Tensione minima di alimentazione | 3V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Numero pin | 44 | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 18.41mm | |
| Serie | IDT71V016 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Corrente di alimentazione | 160mA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo prodotto SRAM | ||
Dimensione memoria 1MB | ||
Numero parole 64K | ||
Numero bit per parola 16 | ||
Tempo massimo di accesso casuale 20ns | ||
Tipo di temporizzazione Asincrono | ||
Tensione minima di alimentazione 3V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Numero pin 44 | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 18.41mm | ||
Serie IDT71V016 | ||
Standard automobilistico No | ||
Corrente di alimentazione 160mA | ||
- Paese di origine:
- TW
La Renesas Electronics ha una RAM statica ad alta velocità da 1.048.576 bit organizzata come 64K x 16. È realizzata utilizzando la tecnologia CMOS ad alte prestazioni e alta affidabilità. Questa tecnologia all'avanguardia, combinata con tecniche innovative di progettazione dei circuiti, fornisce una soluzione conveniente per le esigenze di memoria ad alta velocità.
Basso consumo energetico tramite deselezione del chip
Tempi di accesso e cicli uguali
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