Tiristore TN1605H-6G SCR STMicroelectronics, TO-263, 3 Pin, 10 A 6 mA, 600 V 153 A, Superficie
- Codice RS:
- 192-4998P
- Codice costruttore:
- TN1605H-6G
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 192-4998P
- Codice costruttore:
- TN1605H-6G
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente nominale media di on-state Irms | 10A | |
| Tipo prodotto | Tiristore | |
| Tipo di tiristore | SCR | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Picco di tensione inversa ripetitiva VDRM | 600V | |
| Corrente nominale di sovratensione | 153A | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Corrente massima di attivazione del gate Igt | 6mA | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di attivazione del gate Vgt | 1.3V | |
| Corrente massima di mantenimento Ih | 20mA | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | 16 A SCR | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente nominale media di on-state Irms 10A | ||
Tipo prodotto Tiristore | ||
Tipo di tiristore SCR | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Picco di tensione inversa ripetitiva VDRM 600V | ||
Corrente nominale di sovratensione 153A | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Corrente massima di attivazione del gate Igt 6mA | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di attivazione del gate Vgt 1.3V | ||
Corrente massima di mantenimento Ih 20mA | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie 16 A SCR | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Progettato con commutazione ad alta immunità a picchi esterni, questo dispositivo offre una commutazione robusta fino a 150 °C massimo Tj. La combinazione di immunità al rumore e bassa corrente di attivazione del gate consente di progettare un circuito di controllo robusto e compatto.
Temperatura di giunzione elevata: TJ = 150 °C.
Corrente di attivazione del gate IGT = 6 mA
Elevata immunità ai disturbi dV/dt = 200 V/μs fino a 150 °C
Tensione di blocco VDRM/VRRM = 600 V.
Aumento elevato della corrente di accensione di/dt: 100 A/μs